RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2418
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link