RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3326
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Lenovo 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link