RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3215
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link