RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3326
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link