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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3326
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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