RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2502
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link