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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Comparar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
67
Por volta de 60% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
67
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2275
1879
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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