RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
67
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
67
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
1879
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link