RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
64
Rund um -167% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
14.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3482
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link