RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3482
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link