RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
64
Rund um -178% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3171
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM1333KSN-4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link