RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3171
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link