RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
4095
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link