RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
19.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
4095
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link