RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
64
Rund um -178% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2675
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link