RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
64
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3291
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link