RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
64
En -121% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
3291
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link