RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
64
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3050
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link