RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3050
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link