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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
64
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
2,256.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
7.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
1855
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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