RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
64
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2711
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Mushkin 996902 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link