RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,256.8 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 64
    Около -121% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    64 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,651.3 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,256.8 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    837 left arrow 2711

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM

G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
модули RAM
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
модули RAM
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
модули RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
модули RAM