RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2711
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link