RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
77
Около -108% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2824
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link