RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
64
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2620
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link