RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
64
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2490
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link