RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
64
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2490
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link