RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
94
Wokół strony -169% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
35
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2336
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link