RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2663
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link