RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3772
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11S/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link