RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3772
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link