RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link