RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2663
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link