RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Porównaj
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2720
3075
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link