RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Confronto
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
37
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
10.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
37
Velocità di lettura, GB/s
15.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2720
3075
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link