RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3075
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link