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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2663
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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