RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
64
Rund um -137% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3029
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link