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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
64
左右 -137% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
27
读取速度,GB/s
4,651.3
17.6
写入速度,GB/s
2,256.8
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3029
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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