RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
15.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3693
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link