RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3693
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link