RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link