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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Note globale
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
56
Autour de -143% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,501.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,161.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,501.2
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
381
2629
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaison des RAM
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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