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Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Comparez
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
34
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
34
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
14.8
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3597
2739
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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