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Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Confronto
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
34
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
34
Velocità di lettura, GB/s
17.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
14.8
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3597
2739
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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