RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
56
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
2629
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link