RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
55
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2699
2701
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link