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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

Pontuação geral
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Razões a considerar
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16 left arrow 15.8
    Valor médio nos testes
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.8 left arrow 12.9
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    55 left arrow 55
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 15.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.9 left arrow 13.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2699 left arrow 2701

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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