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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Puntuación global
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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

Puntuación global
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16 left arrow 15.8
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.8 left arrow 12.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    55 left arrow 55
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.0 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.9 left arrow 13.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2699 left arrow 2701

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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