RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
55
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2699
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link