RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
55
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2699
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link